Модуль оперативной памяти "TwinMOS DDR III (10600) 2048 MB 1333 MHz Box"

Модуль оперативной памяти — это небольшая печатная плата, которая частично отвечает за производительность компьютерной системы. Как правило, под модулем памяти понимается плата с микросхемами запоминающего устройства (ОЗУ). С развитием электроники платы становятся меньше и мощнее, что позволяет использовать их в смартфонах и планшетах без особого труда. Средняя оперативная память для пользовательского устройства на сегодняшний день — от 1 до 4 ГБ.

"DDR3 20.48Mb TwinMOS" - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Модуль памяти "DDR3 2048Mb TwinMOS" имеет параметр CL9, что обозначает величину латентности, равную 9. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. "DDR3 2048Mb TwinMOS" - это модуль памяти на 2048 MB, который работает с тактовой частотой 1333 MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 10600 МБ/с.

Основные характеристики данной модели:

• Производитель: TwinMOS;
• Интерфейс: DDR3;
• Объем модуля: 2048 Мегабайт;
• Рабочая частота: 1333 МГц;
• Аппаратная задержка: CL9;
• Тайминги: 9-9-9-24;
• Рабочее напряжение: 1.5 Вольт;
• ИТ обозначение: PC3-10600;
• Модификация: обычная;
• Комплектность: один модуль.